الیکٹرانکس کام کیسے

سیمکولیڈٹر کی بنیادیں

جائزہ

جدید ٹیکنالوجی کو ایک قسم کے مواد کا استعمال کیا جا سکتا ہے جو سیمکولیشنر کہتے ہیں. تمام فعال اجزاء، مربوط سرکٹس، مائکروچپس، ٹرانسمیٹرز، اور کئی سینسر تعمیر کیے گئے ہیں. جبکہ سلکان الیکٹرانکس میں استعمال ہونے والے سب سے بڑے پیمانے پر استعمال کیا جاتا ہے اور معروف سیمکولیڈٹر مواد ہے، جس میں وسیع پیمانے پر سیمکولیڈرز استعمال کیے جاتے ہیں جن میں جرمنیمیم، گیلیمیم آرمسنڈ، سلیکن کاربائڈ، اور نامیاتی سیمکولیڈرز شامل ہیں. ہر مادہ میز کے کچھ فوائد لاتا ہے جیسے قیمت / کارکردگی کا تناسب، تیز رفتار آپریٹنگ، اعلی درجہ حرارت، یا سگنل کے مطلوبہ مطلوبہ جواب.

سیمکولیشنر

جس میں سیمی کنڈکٹرز بناتا ہے اس سے فائدہ مند ہوتا ہے کہ مینوفیکچرنگ کے عمل کے دوران ان کی برقی خصوصیات اور رویے کو درست طریقے سے کنٹرول کرنے کی صلاحیت ہے. سیمیکمڈکٹر کی خصوصیات سیمی کنڈکٹر میں چھوٹی سی مقدار میں اضافی مقدار میں اضافہ کرتے ہوئے ڈوپنگ کہا جاتا ہے، جس میں مختلف نابالغ اور مختلف اثرات مختلف اثرات پیدا ہوتے ہیں. ڈوپنگ کو کنٹرول کرنے کے ذریعہ، ایک سیمی کنڈکٹر کے ذریعہ برقی موجودہ چال چلتا ہے.

ایک عام کنڈکٹر میں، تانبے کی طرح، برقیوں کو موجودہ لے اور چارج کیریئر کے طور پر کام کرتا ہے. سیمیکمولیٹروں میں برقی اور سوراخ دونوں، ایک الیکٹران کی غیر موجودگی، چارج کیریئرز کے طور پر کام کرتے ہیں. سیمکولیڈٹر کے ڈوپنگ کو کنٹرول کرنے کے ذریعے، چالکتا اور چارج کیریئر یا تو الیکٹرانک یا سوراخ کی بنیاد پر ہوسکتی ہے.

دو قسم کے ڈوپنگ، این قسم، اور پی قسم کی موجودگی ہیں. این قسم کے ڈوپرٹس، عام طور پر فاسفورس یا آذربائیجان، پانچ برقی ہیں، جس میں جب ایک سیمی کنڈکٹر میں اضافی اضافی مفت برقی فراہم کرتا ہے. چونکہ الیکٹرانکس منفی چارج ہوتے ہیں، اس طرح سے اس طرح کے مواد کو این قسم کہا جاتا ہے. P-type dopants، جیسے بوران اور گیلیلیم، صرف تین الیکٹران ہیں جو سیمکولیڈٹر کرسٹل میں ایک الیکٹران کی غیر موجودگی کے نتیجے میں مؤثر طریقے سے سوراخ یا مثبت چارج بنائے جاتے ہیں، اس لیے اس کا نام P-type. N-type اور P-type dopants، یہاں تک کہ منٹ کی مقدار میں بھی، ایک سیمی کنڈکٹر ایک مہذب کنڈرور بنائے گا. تاہم، این قسم اور پی قسم کا نیم سیمی کنڈکٹر خود کو خاص طور پر مہذب کنڈیکٹر نہیں بناتے ہیں. تاہم، جب آپ ان کو ایک دوسرے کے ساتھ رابطے میں رکھتے ہیں، تو پی این جنریشن تشکیل دیتے ہیں، آپ کو کچھ بہت مختلف اور بہت مفید سلوک ملتا ہے.

PN جین ڈیوڈ

اے پی جنکشن، ہر چیز کے علیحدہ علیحدہ علیحدہ علیحدہ علیحدہ علیحدہ علیحدہ علیحدہ علیحدہ علیحدہ علیحدہ حدیث کے مطابق موجودہ طور پر کسی بھی سمت میں بہاؤ کی اجازت دینے کی بجائے، ایک پی این جنکشن صرف موجودہ راستے میں ایک سمت میں چلتا ہے، جس میں بنیادی ڈائیڈ پیدا ہوتا ہے. اگلے سمت میں ایک پی این جنکشن کے دوران ایک وولٹیج کا اطلاق (آگے تعامل) این قسم کے علاقے میں الیکٹرانوں کو P-type علاقے میں سوراخ کے ساتھ ملنے میں مدد ملتی ہے. ڈایڈڈ کے ذریعہ موجودہ (ریورس تعصب) کے بہاؤ کو ریورس کرنے کی کوشش برقیوں اور سوراخوں کو الگ کرتی ہے جس میں جشن میں بہاؤ سے موجودہ کو روکنے کی کوشش ہوتی ہے. دوسرے طریقوں میں پی این جنکشنوں کو یکجا کرنا دوسرے سیمکولیڈٹر اجزاء کے دروازے کھولتا ہے، جیسے ٹرانجسٹر.

ٹرانسمسٹرز

ایک بنیادی ٹرانجسٹر ڈیوڈ میں استعمال ہونے والے دو کے مقابلے میں تین این قسم اور پی قسم کے مواد کے جنکشن کے مجموعہ سے بنائے جاتے ہیں. ان مواد کو یکجا کرنے والی این پی این اور پی این پی ٹرانسمسٹرز پیدا ہوتے ہیں جو دوپولر جنکشن ٹرانسمیٹر یا بی جے پی کے نام سے مشہور ہیں. مرکز، یا بیس، خطے میں بی جے پی ٹرانجسٹر کو سوئچ یا یمپلیفائر کے طور پر کام کرنے کی اجازت دیتا ہے.

حالانکہ این پی این اور پی پی پی ٹرانسمیٹرز شاید دو ڈیوڈس واپس واپس آتے ہیں، جو کسی بھی سمت میں بہاؤ سے تمام موجودہ بند کردیں گے. جب مرکز کی پرت آگے بڑھا جاسکتا ہے تاکہ مرکز کی پرت کے ذریعہ ایک چھوٹا سا موجودہ بہاؤ، ڈیسڈ کی خصوصیات مرکز کے لۓ تبدیلی کے ذریعہ تشکیل دے سکے تاکہ پورے ڈیوائس میں ایک بڑا بڑا حصہ بہاؤ. یہ رویہ ایک ٹرانجسٹر فراہم کرتی ہے جس میں چھوٹے وایلوں کو بڑھانا اور موجودہ سوئچ کو موجودہ ذریعہ بدلنے کے لئے ایک سوئچ کے طور پر کام کرنے کی صلاحیت ہے.

پی این جنکشنوں کے ذریعے مختلف طریقوں سے ٹرانسٹسٹرز اور دیگر سیمکولیڈٹر آلات کی ایک قسم کی طرح سے، اعلی درجے کی، خصوصی تقریب ٹرانسٹسٹرز سے ڈایڈس کنٹرول کرنے کے لۓ کیا جا سکتا ہے. پی این جنکشنوں کے محتاط مجموعہ سے بنا اجزاء میں سے صرف چند درج ذیل ہیں.

• DIAC
• لیزر ڈایڈڈ
• ہلکا جذباتی ڈایڈڈ (ایل ای ڈی)
• زینر ڈیوڈ
• ڈارلنگٹن ٹرانجسٹر
• MOSFETs سمیت فیلڈ اثر ٹرانجسٹر
• IGBT ٹرانجسٹر
• سلکان کنٹرول ریفریجریٹر (ایس سی آر)
• انٹیگریٹڈ سرکٹ (آئی سی ایس)
• مائکرو پروسیسر
• ڈیجیٹل میموری - رام اور روم

سینسر

موجودہ کنٹرول کے علاوہ سیمی کنڈیٹروں کو اجازت دی جاتی ہے، ان کے پاس ان خصوصیات بھی شامل ہیں جو موثر سینسر کے لئے بناتے ہیں. وہ درجہ حرارت، دباؤ، اور روشنی میں تبدیلیوں کے لئے حساس ہونے کے لئے بنایا جا سکتا ہے. مزاحمت میں تبدیلی ایک نیم - conductive سینسر کے لئے سب سے زیادہ عام قسم کا جواب ہے. سیمیکمڈکٹر خصوصیات کی طرف سے ممکنہ بنا سینسر کی چند اقسام ذیل میں درج ہیں.

• ہال اثر سینسر (مقناطیسی فیلڈ سینسر)
• Thermistor (مزاحم درجہ حرارت سینسر)
• سیسیڈی / CMOS (تصویر سینسر)
• Photodiode (روشنی سینسر)
• Photoresistor (روشنی سینسر)
• Piezoresistive (دباؤ / کشیدگی سینسر)